Parametry:
Drive Writes Per Day (DWPD):
1
Flash Memory Cell Technology:
Triple-Level Cell
Funkcje:
End-to-End Data Protection
Sanitize Instant Erase (SIE)
Power-loss Protection (data at rest)
Głębokość (mm):
100.45 mm
Interfejs:
PCIe NVMe 4.0 x4
Kryteria weryfikacji gwarancji:
Numer seryjny
Maks. temperatura otoczenia pracy:
75 °C
Maksymalna losowa szybkość odczytu:
1250000 IOPS
Maksymalna losowa szybkość zapisu:
195000 IOPS
Maksymalna szybkość odczytu sekwencyjnego:
7200 MB/s
Maksymalna temperatura otoczenia w stanie spoczynku:
85 °C
Maksymalna wilgotność podczas pracy:
95 %
Maksymalny pobór mocy:
14 W
Maximum Sequential Write Rate:
3800 MB/s
Maximum Supply Voltage:
12 V
Min. temperatura otoczenia pracy:
0 °C
Minimalna temperatura otoczenia w stanie spoczynku:
-40 °C
Minimalna wilgotność pracy:
5 %
Minimalny pobór mocy:
5 W
Minimum Supply Voltage:
3.3 V
Okres gwarancji (miesiące):
60 miesięcy (miesiące)
Przeznaczenie urządzenia:
Wewnętrzny
Shock Tolerance Operating:
1000G @ 0.5ms
Średni czas między awariami:
2500000 h
Technologia pamięci:
BiCS Flash
Vibration Tolerance Operating:
2.17G @ 5-800Hz
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.